利用离子注入技术制备新型结构SiC器件的展望

王守国, 张岩

doi:10.3969/j.issn.0253-9608.2011.04.006

自然杂志 >

2011 , Vol. 33 >Issue 4: 211 - 215

DOI: https://doi.org/10.3969/j.issn.0253-9608.2011.04.006

科技进展

利用离子注入技术制备新型结构SiC器件的展望

展开

①副教授，②教授，哈尔滨工业大学深圳研究生院电子与信息工程学科部，深圳 518055；③西北大学信息与技术学院，西安 710127

收稿日期: 2010-10-21

修回日期: 2010-11-21

网络出版日期: 2011-08-25

收起

Prospect of a New Structure SiC MESFETs Fabricated by Ion-Implantation

Expand

①Associate Professor, ②Professor, Department of Electronic and Information Engineering, Shenzhen Graduate School，Harbin Institute of Technology，Shenzhen 518055，China； ③School of Information Science and Technology, Northwest University, Xi’an 710127, China

Received date: 2010-10-21

Revised date: 2010-11-21

Online published: 2011-08-25

Fold

摘要

作者介绍了SiC MESFET(metal-semiconductor field-effect transistor，金属半导体场效应晶体管)器件的优点和离子注入技术在SiC器件制备中的发展趋势，提出一种用离子注入技术制备新型结构的SiC MESFET器件的方法,讨论了这种新型结构的优点，最后给出用离子注入技术制备SiC MESFET器件的设计过程。

关键词： SiC; 离子注入; 金属半导体场效应晶体管; 工艺设计

本文引用格式

王守国, 张岩 . 利用离子注入技术制备新型结构SiC器件的展望[J]. 自然杂志, 2011 , 33(4) : 211 -215 . DOI: 10.3969/j.issn.0253-9608.2011.04.006

Options

文章导航

模态框（Modal）标题

摘要

本文引用格式