自然杂志 ›› 2026, Vol. 48 ›› Issue (1): 64-78.doi: 10.3969/j.issn.0253-9608.2026.01.009
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刘加琪①,奚忆莲②,张靖伟①,石含清①,杜轶①
LIU Jiaqi①, XI Yilian②, ZHANG Jingwei①, SHI Hanqing①, DU Yi①
摘要: 对高存储密度的迫切需求促使人们对新型自旋电子器件进行了广泛的研究。磁性斯格明子是一种具有涡旋的磁结构,具有准粒子特性并且受到拓扑保护。因其具有小尺寸、拓扑稳定性,以及低电流阈值驱动等优势,有望应用于自旋电子学等相关领域。本文结合该领域最新研究,对磁性斯格明子的种类与性质、产生机制、材料体系和诱导调控方法等内容进行了较为详细的综述,并总结了斯格明子应用于赛道存储所面临的挑战与前景。