自然杂志 ›› 2011, Vol. 33 ›› Issue (4): 211-215.

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利用离子注入技术制备新型结构SiC器件的展望

王守国①③张岩②   

  1. ①副教授，②教授，哈尔滨工业大学深圳研究生院电子与信息工程学科部，深圳 518055；③西北大学信息与技术学院，
    西安 710127
  • 收稿日期:2010-10-21 修回日期:2010-11-21 出版日期:2011-08-20 发布日期:2011-08-25

Prospect of a New Structure SiC MESFETs Fabricated by IonImplantation

WANG Shouguo①③，ZHANG Yan②   

  1. ①Associate Professor, ②Professor， Department of Electronic and Information Engineering, Shenzhen Graduate School，Harbin Institute of Technology，Shenzhen 518055，China； ③School of Information Science and Technology, Northwest University, Xi’an 710127, China
  • Received:2010-10-21 Revised:2010-11-21 Online:2011-08-20 Published:2011-08-25

被引次数

3

摘要： 作者介绍了SiC MESFET(metalsemiconductor fieldeffect transistor，金属半导体场效应晶体管)器件的优点和离子注入技术在SiC器件制备中的发展趋势，提出一种用离子注入技术制备新型结构的SiC MESFET器件的方法,讨论了这种新型结构的优点，最后给出用离子注入技术制备SiC MESFET器件的设计过程。

关键词: SiC, 离子注入, 金属半导体场效应晶体管, 工艺设计

Key words: SiC, ionimplantation, MESFET, process design

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