利用离子注入技术制备新型结构SiC器件的展望

doi:10.3969/j.issn.0253-9608.2011.04.006

自然杂志 ›› 2011, Vol. 33 ›› Issue (4): 211-215.doi: 10.3969/j.issn.0253-9608.2011.04.006

利用离子注入技术制备新型结构SiC器件的展望

王守国^①③，张岩^②

①副教授，②教授，哈尔滨工业大学深圳研究生院电子与信息工程学科部，深圳 518055；③西北大学信息与技术学院，西安 710127

收稿日期:2010-10-21 修回日期:2010-11-21 出版日期:2011-08-20 发布日期:2011-08-25

Prospect of a New Structure SiC MESFETs Fabricated by Ion-Implantation

WANG Shou-guo^①③，ZHANG Yan^②

①Associate Professor, ②Professor, Department of Electronic and Information Engineering, Shenzhen Graduate School，Harbin Institute of Technology，Shenzhen 518055，China； ③School of Information Science and Technology, Northwest University, Xi’an 710127, China

Received:2010-10-21 Revised:2010-11-21 Online:2011-08-20 Published:2011-08-25

摘要/Abstract

摘要： 作者介绍了SiC MESFET(metal-semiconductor field-effect transistor，金属半导体场效应晶体管)器件的优点和离子注入技术在SiC器件制备中的发展趋势，提出一种用离子注入技术制备新型结构的SiC MESFET器件的方法,讨论了这种新型结构的优点，最后给出用离子注入技术制备SiC MESFET器件的设计过程。

关键词: SiC, 离子注入, 金属半导体场效应晶体管, 工艺设计

王守国, 张岩. 利用离子注入技术制备新型结构SiC器件的展望[J]. 自然杂志, 2011, 33(4): 211-215.

WANG Shou-guo, ZHANG Yan. Prospect of a New Structure SiC MESFETs Fabricated by Ion-Implantation[J]. Chinese Journal of Nature, 2011, 33(4): 211-215.

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https://www.nature.shu.edu.cn/CN/Y2011/V33/I4/211

[1]	郭晓强, 李岩异. RNA研发简史：从微不足道到无比重要[J]. 自然杂志, 2022, 44(6): 480-490.
[2]	王守国, 张岩 . SIC材料及器件的应用发展前景[J]. 自然杂志, 2011, 33(1): 42-45.

利用离子注入技术制备新型结构SiC器件的展望

Prospect of a New Structure SiC MESFETs Fabricated by Ion-Implantation

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